Intel Corp. и Micron Technology Inc са подписали споразумение за изграждането на нов завод за NAND Flash памети. Той ще се контролира и управлява от джойнт-венчъра между двете фирми - IM Flash Technologies.
Заводът ще бъде построен в северната част на Сингапур. Строителството му ще започне в началото на 2007 и се очаква да приключи към средата на 2008 година. Заводът се очаква да работи по 50 nm технологията върху 300 мм пластина.
„С Intel си партнираме отдавна и сме доволни от работата си заедно и за това ще продължим напред заедно. Избрахме Сингапур, защото тук има изградена добра инфраструктура, добра и квалифицирана работна ръка”, коментира главният изпълнителен директор на Micron Стив Апълтън.
Сумата, която ще отделят двете фирми за изграждането на завода не бе съобщена, но специалисти твърдят, че тя едва ли ще е под 3-4 млрд. долара.
